El MJ11016G es un Transistor NPN Darlington de alta potencia en encapsulado TO3-Metalico.

Tension VCBO : 120 V
Corriente ICBo: 30 A
PO: 200 W
Encapsulado TO3-METALICO

LOS SEMICONDUCTORES NO TIENEN CAMBIO, DEVOLUCION NI GARANTIA. SI NO ESTA DE ACUERDO CON ESTA CONDICION DE VENTA POR FAVOR NO OFERTE. FOTO A TITULO ILUSTRATIVO.

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