El IXTK82N25 es un MOSFET canal N utilizado en fuentes switching, inversores y otras aplicaciones de alta potencia.

Tension VDD: 250V
ID maxima: 82 A
RDSon: 0.035 ohm Potencia disipadamaxima: 500W
Encapsulado TO-264

LOS SEMICONDUCTORES NO TIENEN CAMBIO, DEVOLUCION NI GARANTIA. SI NO ESTA DE ACUERDO CON ESTA CONDICION DE VENTA POR FAVOR NO OFERTE. LAS FOTOS SON A TITULO ILUSTRATIVO.

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