El IRFH5304TRPBF esta hecho con el avanzado proceso HEXFET que permite lograr baja resistencia interna y a su vez trabajar a mayor temperatura sin efecto avalancha. Este componete es ideal para aplicaciones switching y audio.

Caracteristicas:
VDD: 30 V
ID: 79 A
Rds(on) 0.045 Ohm
Disipacion de potencia: 46W
Encapsulado PQFN SMD

LOS SEMICONDUCTORES NO TIENEN CAMBIO, DEVOLUCION NI GARANTIA. SI NO ESTA DE ACUERDO CON ESTA CONDICION DE VENTA POR FAVOR NO OFERTE. LAS FOTOS SON A TITULO ILUSTRATIVO.

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