El transistor IGBT GT60N321(Q) es un dispositivo de potencia utilizado en fuentes switching e inverters.

Vceo:1000 V
IC: 60 A continuos
Vge: +/- 25 V
Calidad Toshiba
Encapsulado: T0-3P

Nota: los semiconductores no tienen cambio, devolucion ni garantia.

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